文献综述
ZnO/MgO多量子阱物性研究文献综述氧化锌（ZnO）是一种良好的IIVI半导体，室温下具有3.37 eV的宽禁带和60 meV的激子结合能。
到目前为止，由于ZnO及其三元合金在光学和电子设备应用方面的潜力，例如太阳能电池、光发射器、传感器、调制器和紫外线探测器，它们一直备受关注。
到目前为止，ZnO基材料的一个有趣应用是分布式布拉格反射器（DBR），它可以并入垂直腔面发射激光器（VCSEL）。
DBR的结构由两种不同材料的一系列交替层组成，每个层的厚度为lambda;/4n（其中lambda;是阻带的设计共振波长，n是材料的折射率）。
在设计DBRs结构时，必须考虑反射率值和阻带宽度。
DBRs的反射率将受到两层材料的折射率（1n）和DBRs堆栈中周期数（N）之间的差异的影响。
此外，阻带的性能是DBR的重要特性，它在很大程度上取决于1n的值和两个交替层的厚度。
选择具有宽禁带的ZnO和MgO材料来构建DBRs结构，这种结构可以集成到短波VCSEL中。
此外，ZnO和MgO材料的最大折射率之差约为0.4，适用于DBRs结构。
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